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产品资讯|宇腾科技GaN功率器件突破1200V

发布时间:2024-07-29
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        近日,陕西宇腾电子科技有限公司(以下简称“宇腾科技”)氮化镓功率芯片技术实现新突破,公司自主研发生产的蓝宝石基氮化镓功率器件(GaN -on-Sapphire HEMT),工作电压(Vds)可达1200V,已进入量产阶段并通过可靠性测试。

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        宇腾科技蓝宝石基氮化镓功率器件工作电压可达到1200V,目前已量产四种型号,规格分别为:150mΩ/12A、100mΩ/15A、75mΩ/22A、50mΩ/30A。这一突破证明蓝宝石基氮化镓在功率器件市场具有巨大潜力,能够为新能源汽车领域带来更高的性能、更低的成本和更长的续航。相较于硅基氮化镓,蓝宝石基氮化镓提供了更高的电绝缘性能,这使得蓝宝石基氮化镓功率器件能够实现超过1200V的关态击穿电压,同时保持了器件的高电子迁移率和低电阻特性。针对宇腾科技1200V蓝宝石基氮化镓系列产品,25mΩ/60A规格产品正在开发测试中,预计2024年Q4实现量产。

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       在氮化镓功率器件产业,外延片的质量影响着下游芯片端、器件端的品质和性能。宇腾科技在氮化镓外延技术上保持创新与挑战的态度,不断优化产品品质并与上下游产业链保持良好的合作。以氮化镓为原料的第三代半导体技术,将以突破性的性能和广阔的应用场景,成为科技创新和产业发展的重要驱动力。

       欢迎各位交流洽谈,共谋合作!


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